技术编号:9689170
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件的不断小型化,沟道将趋于采用诸如锗(Ge)或硅锗(SiGe)的材料,以获得更高的载流子迁移率。已经提出了一种Ge沟道的鳍片式场效应晶体管(FinFET),但并未公开有效率的制造工艺流程。另一方面,FinFET的沟道停止层的特性对于器件性能是一个重要的因素。然而,隔离用的浅沟槽的填充以及填充后的浅沟槽隔离(STI)的退火通常需要在高温(例如,约1050°C )下进行相对长的时间(例如,20分钟),这会造成后来将用作FinFET的沟道停止层的杂质...
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