技术编号:9689172
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域技术,特别涉及一种。背景技术随着半导体技术的不断发展,载流子迁移率增强技术获得了广泛的研究和应用,提高沟道区的载流子迁移率能够增大半导体器件的驱动电流,提高器件的性能。现有半导体器件制作工艺中,由于应力可以改变硅材料的能隙和载流子迁移率,因此通过应力来提高半导体器件的性能成为越来越常用的手段。具体地,通过适当控制应力,可以提高载流子(NM0S器件中的电子,PM0S器件中的空穴)迁移率,进而提高驱动电流,以此极大地提高半导体器件的性能...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。