技术编号:9689375
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件及其制造方法,特别是涉及一种。背景技术随着科技日新月异,电子元件的进步增加了对更大储存能力的需要。为了增加储存能力,记忆元件变得更小而且集成度更高。因此,三维记忆元件已逐渐受到业界的高度关注。然而,随着三维记忆元件的集成度提高,由于高高宽比(High aspect rat1)与复合膜堆叠所导致垂直栅极(Vertical gate)工艺上的缺陷也随之增加。上述缺陷包括位线通道的弯曲(BL channel bending)与字线桥接(W...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。