技术编号:9689396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。电阻式随机存取存储器一般是由上电极(Top Electrode,简称TE)、下电极(Bottom electrode,简称BE)及介于其间的转变金属氧化物(Transit1n Metal Oxides,简称ΤΜ0)所构成,并可通过上导线与下导线连接出去。由于电阻式随机存取存储器内的导电路径是通过氧空缺(oxygen vacancy)来控制低电阻态(low resistance state,简称LRS),所以易受温度影响的氧离子扩散,将成为电阻式随机存取存储...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。