技术编号：9689422
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。GaN作为第三代半导体材料，具有更高的禁带宽度，更大的电子饱和漂移速度，更强的临近击穿电场，更高的热导率以及热稳定性等特性。GaN基氮化物半导体材料还具有很大的自发和压电极化特性，利用此特性制备的高电子迀移率晶体管是一种场效应半导体器件，它广泛应用于高频率放大器件或者高功率开关器件领域。GaN基高电子迀移率晶体管常规结构为衬底、缓冲层、势皇层、介质膜和电极。对于GaN基高电子迀移率晶体管，主要应用在高频或者高压场合，对衬底材料和外延层的漏电要求很高。由于衬...
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