技术编号:9689429
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。VDMOS (vertical double-diffus1n metal-oxide-semiconductor,垂直双扩散场效应晶体管)器件的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小,是一种用途非常广泛的功率器件。目前,(VDM0S的发展方向是1、降低正向导通电阻以减小静态功率损耗;2、提高开关速度以减小瞬态功率损耗。减小静态功率损耗主要通过降低VDMOS器件总导通电阻来实现。器件的总...
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