技术编号:9689433
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体器件尺寸持续缩小,增强沟道载流子的迁移率成为非常重要的技术。 在衬底应力层的设计中不同的材料的特性不同,例如晶格常数、介电常数、禁带宽度、特别 是载流子迁移率等等,如下表1所不。表1 由表1可见,在上述这些可能的衬底材料中,III-V族材料具有最高的电子迁移 率,使用III-V族材料作为半导体器件的衬底特别是沟道区将大大增强载流子迁移率,因 而能制造更快的大规模集成电路(LSIC)。 此外,由表1可见,m-v族材料具有与Si材料明显不同的晶格常...
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