技术编号:9689434
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。MOS晶体管通过在栅极施加电压,调节通过沟道区域的电流来产生开关信号。但当半导体技术进入32/28纳米以下节点时,传统的平面式MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱,造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新型的多栅器件,它一般包括具有高深宽比的半导体鳍部、覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区,鳍式场效应晶体管的栅极结构可以从顶部和两侧对鳍部进行控制,具有比平面MOS晶体管强得多的栅对沟道的控制能...
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