技术编号:9689439
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体技术的不断发展,半导体器件的尺寸逐渐缩小,晶体管的性能也受到 影响。为了进一步提高晶体管的性能,应力工程被引入晶体管的制程中。对晶体管的沟道 区域施加压应力可以提高沟道区域内的空穴迁移率,而对晶体管的沟道区域施加张应力, 则可以提高沟道区域内的电子迁移率。 由于电子在单晶硅中的迁移率大于空穴的迁移率,所以,现有技术通常通过应力 工程提高PM0S晶体管的空穴迁移率,以使得PM0S晶体管的载流子迁移率与NM0S晶体管的 载流子迁移率匹配。一般通过采...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。