技术编号：9689444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件由于具有较高的功率增益、优异的线性度和良好的散热等突出性能，被广泛应用于射频和微波功率放大器中，而且由于制造技术与成熟的CMOS工艺兼容，成本低廉，长期以来在通信领域占用相当大的市场份额。LDMOS器件的击穿电压和导通电阻是一对相互矛盾的参数，为了获得较大的击穿电压就必须加大的漂移区长度，这会使导通电阻显著增加，而导通电阻是影响器件和功放电路输出功率和效率的关键指标，为了获得更好地性能，必须将导通电阻控制在合理得范...
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