技术编号：9689501
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 现有技术中，为降低发光二极管晶粒的压电场效应并能够节约成本，通常在平面 蓝宝石衬底上利用选择性嘉晶生长成长出无极性的半导体氮化镓（nonpolar,semipolar GaN)，但是此结构的尖部是缺陷密度最多的地方。同时传统的发光二极管晶粒一般将ρ、η 电极设置在Ρ型半导体层的侧边及上方，如此在注入电流时因电流会选择走最短路径，而 此最短路径就是发光二极管晶粒的尖部缺陷密度最多的地方，从而使在磊晶结构的表面做 Ρ、Ν电极以将次磊晶结构做成发光二极管元件时...
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