技术编号:9689505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发光二极管(LED)的发展与半导体光电技术、照明光源技术的发展紧密相关。随着LED应用领域的不断扩展,人们对LED芯片的性能也提出了越来越高的要求。为了提高LED的外量子效率,常用做法是在LED芯片中制作分布布拉格反射层(DBR),从而把射向芯片底部的光反射回芯片的顶部。在四元系AlGaInP LED芯片中,由于AlAs和GaAs的折射率差较大(Δη = 0.53),两者之间晶格匹配,并且导电性优异,因此可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)直接外延生...
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