技术编号：9690632
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着微电子技术的发展，N沟道M0SFET和IGBT相较于三极管和P沟道M0SFET在高频率，大功率和高效率的开关应用场合表现出越来越明显的优势。根据其应用特性，需要在栅极增加相对于源极的高压信号，才能实现有效的导通控制。高压侧功率管导通后，其源极一般接电源正极，因此栅极需要随电源电压波动的固定压差驱动控制信号。在大多数的开关应用场合，通常需要高速开关控制，因此从功耗、速度和效率等方面考虑需要强驱动电流。目前，针对高压驱动一般采取以下两种方案 1、电容自举...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。