技术编号:9692737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在通过提拉(CZ)法生长的单晶硅的生产中,多晶硅首先在拉晶装置的诸如石英坩祸的坩祸中熔化,以形成硅熔体。拉具然后使晶种下降到熔体中,并且使晶种从熔体缓慢地升出,从而使熔体在晶种上凝固。为了使用该方法生产高质量单晶,液态硅中来自连续溶解的石英熔体支承件(或石英坩祸)的诸如固体石英的杂质粒子的粒子密度在凝固的晶体附近必须非常低。用于实现该目标的已有系统没有完全令人满意。因此,需要更有效率和有效果的系统和方法来限制与晶锭直接相邻的固体石英粒子。该背景技术章节意在...
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