技术编号：9693382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以往以来，作为功率器件而使用的半导体器件是以使用了硅(Si)作为半导体材料的器件为主流。而另一方面，作为带隙比硅宽的半导体(以下称为宽带隙半导体)的碳化硅(SiC)，与硅相比具有3倍的导热率、10倍的最大电场强度和2倍的电子漂移速度这样的物理性质。因此，作为在绝缘击穿电压高且低损耗的情况下能够进行高温运行的功率器件，近年来，进行了应用SiC的研究。功率器件的结构以在背面侧具有具备了低电阻的欧姆电极的背面电极的纵型半导体器件为主流。在该纵型半导体器件的背面电...
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