技术编号:9693393
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在作为功率半导体装置之一的功率金属绝缘膜半导体场效应晶体管(MetalOxide Semiconductor Field Effect TransistorMOSFET)中,以往使用娃基板(Si基板)的功率MOSFET(以下,记载为Si功率M0SFET)是主流。但是,使用碳化硅基板(以下,记为SiC基板)的功率M0SFET(以下,记为SiC功率M0SFET)与Si功率MOSFET相比,能高耐压化及低损失化。究其原因,由于碳化硅(SiC)与硅(Si)相比,禁...
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