技术编号:9693426
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明的背景发明的领域本发明总地涉及集成电路和设备,并且具体地,涉及匹配增强型和耗尽型设备的阈值电压以及减小氮化镓(GaN)设备的输出电容。相关技术的说明GaN半导体设备由于它们的高频率转换、携带大电流和支持高电压的能力越来越受欢迎。这些设备的开发一般针对高功率/高频率应用。为这些类型的应用制造的设备是基于呈现高电子迀移率并且不同地被称为异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迀移率晶体管(HEMT)或调制掺杂场效应晶体管(M0DFET)的通用设备结...
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