技术编号：9693784
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体工业不断发展能够印刷越来越小的集成电路尺寸的光刻技术。极紫外 (EUV)光(有时也称作软X射线)一般被定义为具有在10纳米和110纳米(nm)之间的波长的电 磁辐射。EUV光刻一般被认为包括处于在IOnm至Hnm的范围内的波长的EUV光，并且被用来 在诸如硅晶片等的衬底中产生极小特征(例如，亚32nm特征）。这些系统必须高度可靠并且 提供有成本效益的吞吐量和合理的工艺宽容度。 产生EUV光的方法包括但不一定限于利用在EUV范围内的一种或多种发射线将...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。