技术编号:9694432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发光二极管(LED)具有效率高、寿命长、体积小、功耗低等优点,可以用于室内外照明、屏幕显示、背光源等,在该产业的发展中,GaN材料是V-1II族化合物半导体的典型代表,那么如何提高GaN基发光二极管的光电性能成为半导体照明产业的关键技术。传统的GaN基外延结构,通常在N型层与发光层之间或P型层与发光层之间增加非掺杂层或掺杂浓度低于IX 1017cm—3的掺杂层,用以均匀电流密度,改善电流分布状况。然而,此非掺杂层或掺杂浓度低于IX 1017cm—3的掺杂层...
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