技术编号:9694460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体中,相变存储器(PCRAM)以其低功耗、尺寸易于小型化、高读写 速度等优点而成为非易失性存储器的首选。基于上述有优点,相变存储器不仅能够取代现 有的存储器,而且还在普通存储器达不到的一些领域(诸如空间、航天技术和军事等领域) 产生新的应用。 相变材料通过电脉冲引起的局部发热而将其相态转变为晶态和非晶态,相变存储 器就是利用该特性存储二进制信息的半导体器件。然而,相变材料的体收缩问题一直是本 领域亟待解决的技术问题。 利用相变材料制造相变存储器或者...
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