技术编号:9703428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明总体上涉及半导体加工领域,更具体地涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。背景技术 集成电路的制造包括许多不同的处理步骤。一个经常使用的操作是电介质膜的 沉积。膜可以被沉积在相对平坦的衬底上,或者可以被沉积到在硅衬底上或在硅衬底内 图案化的特征之间的间隙中。沉积这样的膜的一种方法是通过等离子体辅助原子层沉积 (PAALD)。在这种类型的方法中,以循环方式进行一些操作来沉积共形膜。通常,PAALD工艺 包括以下步骤(a)向反应室提供一...
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