技术编号:9703573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。ZnO作为Π-VI族具有纤锌矿结构的直接宽带隙(3.37eV,300K)化合物半导体材料,因其优异的理化性能,如极高的弹性模量、极低的热膨胀系数、高的热稳定性、大的激子束缚能及负的电子亲合能等,在传感器、UV发射、光电转换、超疏水界面、光催化和发光二极管等诸多领域具有潜在的应用,近年来,受到了世界范围的高度关注。迄今为止,ZnO—维纳米结构材料的制备方法主要有模板辅助生长法、金属有机气相外延法(M0VPE)、脉冲激光沉积法(PLD)、化学气相沉积法(CVD...
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