技术编号：9706892
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 常温下，ZnO、Sn〇2的禁带宽度分别为3.37eV和3.6eV，两者做为宽带隙半导体氧化 物，在太阳能电池、光催化和气体传感器等都有着广泛的应用价值。 目前，人们将Zn0、Sn02应用于气体传感器等领域时，通常都是直接采用单体的ZnO 纳米材料或单体的Sn〇2纳米材料，而将这两种材料制成两者的复合结构还较为少见。发明 人在研发的过程中，采用两步碱液处理法制备出了核壳结构的Zn0/Sn0 2微球，该微球以ZnO 微球为内核，Sn〇2小颗粒均勾地分布在该内...
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