技术编号：9707571
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件生产过程中，光刻是必不可少的一个重要环节，光刻是感光复印图象和选择性化学腐蚀相结合的综合技术。光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影、腐蚀和去胶等步骤，光刻结果的好坏与工艺过程中每一个步骤有关。涂胶是将光致抗蚀剂(即光刻胶，本发明通称光刻胶)涂在硅片表面，然后曝光;对于负性光刻胶来说，其曝光前是可溶性的，见光后发生光化学反应形成不溶性的高分子物质;经显影、腐蚀之后，光刻胶完成了保护基片上某些部分不被腐蚀的任务，就要被清除掉，即去胶，如果这层光刻胶去除...
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