技术编号:9709806
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着M0S器件的特征尺寸的不断减小,在其制造过程中,对于M0S器件的足够有效的沟道长度的控制变得愈发具有挑战性。为此,采用在M0S器件中形成超浅结和突变结的方法,可以改善核心器件的短沟道效应。然而,在形成超浅结和突变结的过程中,如何在抑制短沟道效应和提升M0S器件的性能之间找到更为合理的均衡点也是极负挑战性的任务。为了克服上述难题,现有技术通过多种方法,例如预非晶化离子注入、应力技术等,来进一步提升M0S器件的性能。但是,这些方法存在一些不足之处,例如预非...
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