技术编号:9709809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制造方法,具体地,涉及一种FinFET制造方法。技术背景随着半导体产业的发展大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,而随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺光刻技术也面临着愈来愈多的难题。为了降低成本,我们希望能在单位面积内集成尽可能多的晶体管,从而减小芯片面积。也就是说,如何在现有光刻工艺趋近其分辨力极限的情况下制造出密集的FIN成为FINFET继续缩小面临的问题。受光刻设备限制,光刻尺寸传统制备FIN...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。