提高整合被动高阻衬底铜电感的射频性能的方法技术资料下载

技术编号:9709824

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整合被动器件(Integrated Passive Device,简称IPD,也称为集成无源器件)指的是在高阻硅衬底上制作的电阻、电容、电感等被动器件。其中,一般通过在高阻硅衬底上进行器件制作以得到高性能。对于在高阻硅衬底上制作的作为整合被动器件的电感器(本文中称为“整合被动高阻衬底铜电感”)而言,电感器的射频性能是它的一个关键性能。整合被动高阻衬底铜电感的射频性能受到两个方面因素的影响;一方面,衬底电阻越高,电感射频性能越好;另一方面,铜表面电阻越小,电...
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