技术编号：9709841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在第三代半导体氮化镓(GaN)器件制造领域，界面态问题是长期困扰业界的共性问题，是氮化镓电子器件研制迫切需要解决的难点和瓶颈。为了解决界面态这一 GaN难点问题，国内外研究者开展了多种方式的探索，主要集中在介质生长方式和介质前表面预处理等方面。但是由于诸多工艺分布在不同的单项系统中，由此存在工艺衔接或转移过程中的氧化等污染问题。另外，表面预处理的等离子体能量过大或者反应残留等问题恶化器件界面态，对器件性能和可靠性极为不利。发明内容本公开的目的至少部分地在于...
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