技术编号:9709957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明De I ta沟道掺杂S i C垂直功率MOS器件制作方法本发明涉及微电子,特别是涉及一种Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件的制作方法。以减小SiC垂直功率MOS器件的阈值电压,提高沟道有效迀移率,从而改善功率M0S器件的导通特性。背景技术SiC具有独特的物理、化学及电学特性,是在高温、高频、大功率及抗辐射等极端应用领域极具发展潜力的半导体材料。SiC功率MOSFET的导通特性的改善以及瞬态特性的改善一直是功率器件的难点。虽然目前国内外众多...
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