技术编号:9709976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种沟槽栅功率晶体管;本发明还涉及一种沟槽栅功率晶体管的制造方法。背景技术如图1所示,是现有沟槽栅功率晶体管如功率MOSFET的结构示意图;在半导体衬底如硅衬底101上形成有半导体外延层如硅外延层102,在器件区域中形成有沟槽栅,沟槽栅由填充于沟槽中的栅极多晶硅104组成,在栅极多晶硅104和沟槽栅的沟槽的侧面和底部表面之间隔离有栅介质层如栅氧化层103;而在器件区域外部则形成有将沟槽栅引出的结构,该引出结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。