技术编号：9710974
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。同步整流器向从功率转换器要求改进的功率密度和效率的应用提供了很好的解决方案。半导体开关(诸如，金属氧化物-半导体场效应晶体管(M0SFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT))可以使用小导通电阻产生，使得当他们更换整流二极管时可以实现显著的效率改进和降低热耗散。然而，同步整流器也带来了一个问题较大的电压尖峰和跨同步整流器的漏极和源极高频ringing。电压尖峰可以通过同步整流器的体二极管的的较差反向恢复特性而引起。在一些应用中，由于电压尖峰，严重的电压应力可被...
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