技术编号:9713748
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率电子装置领域,以及更具体来说涉及阻塞电压为至少2500V的双极非穿通功率半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法。背景技术由于对能量效率的增长需求,半导体装置、例如相控晶闸管处于能量传输和分配所需的许多设备的核心位置。这些装置允许成本、可靠性和效率方面的良好性能。特别地,双极半导体功率装置因其与极低导通损耗相组合的极高功率能力而用于应用中。例如,对于非穿通装置类型,低(n_)掺杂漂移层、S卩(n_)基区(其是装置的最厚层)无法减小到低于某个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。