技术编号:9718100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件制造工艺中,在大致圆板形状的半导体晶片的正面上以呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。然后,通过沿间隔道(分割预定线)切断半导体晶片,对形成有器件的区域进行分割而制造出一个个半导体器件。近年来,为了提高IC、LSI等半导体芯片的处理能力,通过层叠低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)而成的功能层在硅等的基板的正面上形成有半导体器件的形态的半导体晶片已经实用化,其中,所述低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜...
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