技术编号:9718936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料与器件制备领域,具体涉及一种Sb2(Sex,Si x)3。背景技术硒化锑(Sb2Se3)和硫化锑(Sb2S3)同属于V - VI族化合物半导体,结构和性质相似,禁带宽度分别在1.20eV和1.70eV左右,都具有良好的光电响应和热电效应,可以用来制备光电探测器件和热电器件。而且其储量丰富,对环境友好,这些特性使其成为具有广泛应用前景的无机半导体材料。然而国际上对Sb2Se3薄膜和Sb2S3薄膜的研究与运用尚处于起步阶段。为了得到禁带宽度...
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