技术编号：9723352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓属于直接跃迀型宽禁带半导体材料，宽直接带隙为3.4eV，被誉为第三代半导体材料。GaN材料同时也是一种极稳定的、坚硬的高熔点材料，具有电子饱和速率高、介电系数小、导热性能好和抗辐射强度高等优良性能，是制作半导体照明和显示器背光领域的发光器件的核心基础材料。由于缺少同质体单晶材料，GaN基材料的器件应用通常在异质衬底上进行，最常用的是蓝宝石衬底、碳化娃衬底和娃衬底。由于蓝宝石衬底不导电、硬度高且导电、导热性能差、价格较高，且在蓝宝石上成长GaN的晶格不...
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