技术编号：9726062
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在晶圆表面形成的多晶娃层中，多晶娃层表面在空气中容易被氧化，并生成（自 然)氧化娃层，所述氧化娃层达到饱和后的厚度约40埃。由于在后续刻蚀工艺中，多晶娃与 氧化娃的刻蚀速率相差很大（其速率比可达几十比一），因此虽然氧化娃层的厚度很薄，但 也会对后续的刻蚀工艺造成很大的影响。通常氧化娃层越厚，后续刻蚀后，对应区域的多晶 娃层剩余厚度也越大，相应多晶娃结构的线宽也越大。 晶圆上的多晶娃结构在采用化学机械研磨（CMP)方法进行平坦化后，通常需要进 行清洗处理，...
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