技术编号：9728723
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体集成电路的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小。减小特征尺寸会导致半导体器件的间隙和沟槽的深度与宽度之间的纵宽比增大。过高的纵宽比可能在间隙和沟槽的填充过程中产生问题，例如所沉积的材料倾向于在沟槽顶角处悬垂或在沟槽中心处产生空洞。这可引起器件性能和电可靠性问题。可流动的化学气相沉积(FCVD)工艺由于具有优异的间隙填充能力并且与即将形成的器件轮廓无关而被广泛应用在20nm以下节点的制程技术中。然而，为了实现良好的膜质量，需要对FCVD膜进行高温退火...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。