技术编号:9728784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着器件的特征尺寸不断减小,在进入纳米尺度尤其是22nm以下尺寸以后,临近半导体物理器件的极限问题接踵而来,如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等,为了克服这些问题,SOI (绝缘体上娃,Si 1 icon-On-1nsulator)技术应运而生。SOI衬底分厚层和薄层S0I,薄层S0I器件的顶层硅的厚度小于栅下最大耗尽层的宽度,当顶层娃的厚度变薄时,器件从部分耗尽(Partially Deplet1n)向全部耗尽(FullyDeplet...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。