技术编号:9728882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件领域,特别涉及一种IGBT器件及其制作方法。背景技术绝缘棚.双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,简称IGBT)是由双极型三极管(Bipolar Junct1n Transistor,简称BJT)和绝缘栅型场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称M0SFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有M0SFET器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。