技术编号：9728942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。常规硅太阳能电池的发射区和发射区电极均位于电池正面，其栅线电极阻挡了部分阳光，使电池有效受光面积降低，因此该类电池的效率有限。为提高太阳能电池效率，将背接触技术引入硅太阳能电池的制备，制成背接触太阳能电池，其主要是通过激光钻孔技术，将电池正面电极通过银浆导入电池背面，使得电池正负极同时处在电池背面，从而减少入射光遮挡面积，提高电池光电转换效率，电池背面使用导电背板将正负极连接。目前背接触光伏组件组装制备主要方法为在平铺有打孔封装材料的导电背板上采用钢板印刷...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。