技术编号：9728956
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，尤其是一种硅衬底深紫外发光二极管的外延结构、芯片结构以及其制备方法。背景技术AlGaN(氮化镓招)材料的深紫外发光二极管(Light Emitting D1de，LED)，由于其具有寿命长、预热时间短、光谱纯净(发光峰的半波宽在15nm以内)、体积小、可靠性高等优势，被认为是取代紫外线低压汞灯等含汞光源的最佳光源。因此，将AlGaN基深紫外LED应用在医疗卫生、杀菌消毒等领域有巨大潜力，也成为了研究热点。但目前AlGaN深紫外LED的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。