技术编号:9728991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。设计者正在寻找下一代的非易失性存储器,例如磁阻式随机存取存储器、相变化随机存取存储器、导电桥接式随机存取存储器及电阻式随机存储器(以下简称为RRAM),以增加写入速度及减少功耗。在上述种类的非易失性存储器中,RRAM的结构简单、且具有简单的交错阵列及可于低温制造、功率消耗低、操作电压低、写入抹除时间短、耐久度长、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、元件工艺简单及可微缩性,所以成为新兴非易失性存储器的主流。现有的电阻式非易失性存储器的基本结构为底电极、电阻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。