技术编号:9728993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相变存储器PCRAM(phase change random access memory)以硫系化合物为存储介质,依靠电流的热效应控制相变材料在晶态(低阻)和非晶态(高阻)之间转化实现信息的写入与擦除,依靠探测存储区域电阻的变化实现信息的读出。PCRAM具有非挥发性,与目前大多数的存储器相比,具有器件尺寸小、功耗低、读取速度快、抗辐照、能实现多级存储以及与现有的CMOS工艺兼容等诸多优点,是最有可能取代目前的FLASH而成为未来主流存储的半导体非挥发存储器...
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