技术编号:9731653
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 SiC单晶在热学、化学方面非常稳定、机械强度优异、耐放射线方面强,而且与Si单 晶相比具有高的绝缘击穿电压、高的热导率等优异的物性。因此,可实现Si单晶和GaAs单晶 等现有半导体材料不能实现的高输出、高频、耐电压、耐环境性等,作为可进行大电力控制 和节能的功率器件材料、高速大容量信息通信用器件材料、车载用高温器件材料、耐放射线 器件材料等这样宽范围的新一代半导体材料的期待正在高涨。 作为SiC单晶的生长法,代表性的已知有气相法、艾奇逊(Acheson)...
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