技术编号:9732199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 作为SOI晶圆的制造方法,尤其是使尖端集成电路的高性能化成为可能的薄膜SOI 晶圆的制造方法,将已注入离子的晶圆进行贴合后加 W剥离来制造 SOI晶圆的方法(离子注 入剥离法也被称为SMART-CUT法(乂7-b力外法),注册商标)广受注目。 该离子注入剥离法,是一种如下所述的技术在两片娃晶圆中,在至少其中一片上 形成氧化膜,并且由一片娃晶圆(接合晶圆)的上表面注入氨离子或稀有气体离子等气体离 子,在该晶圆的内部形成离子注入层(又称为微气泡层或封入层)。...
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