技术编号:9732222
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示,具体地,涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。背景技术利用P型硅(P-Si)作为薄膜晶体管(TFT)有源层结构制作的薄膜晶体管显示器的缺点是必须要执行脱氢工艺,离子掺杂工艺,离子激活工艺与氢化工艺,且P-Si易受到活化不全、金属离子污染等影响,从而影响薄膜晶体管的性能。碳纳米管(Carbon nanotubes, CNTs)在纳米电子和光电应用领域以其优异的电学和机械性能以及广阔的应用潜力得到了广泛的关注。在电学方面,碳纳米管可以提供较...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。