强介电体装置及其制造方法技术资料下载

技术编号:9732231

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本发明涉及,例如涉及为栅极绝缘膜包含有强介电体的层叠结构的半导体晶体管等。背景技术在栅极绝缘膜中使用强介电体的晶体管由于数据的存储、数据的读取、写入都是以一个晶体管来进行,所以作为新一代的高集成存储器而倍受期待。该晶体管对应强介电体的电极化方向来控制晶体管的电传导。具有导体、强介电体、半导体的MFS (Me ta 1 -Ferroelectrics-Semiconductor,金属-铁电体-半导体)层叠结构的MFS晶体管是原型,但近年来为了不损及半导体与强...
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