技术编号:9732232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储器装置可分类成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。与易失性存储器装置相比,非易失性存储器装置(例如,快闪存储器装置)即使在移除电力时也保持所存储的数据。因此,非易失性存储器装置(例如,快闪存储器装置)广泛用于存储卡和电子装置中。归因于快速发展的数字信息技术,需要不断增大快闪存储器装置的存储器密度同时维持(如果不是减小)装置的大小。已研究三维(3D)-NAND快闪存储器装置来增大存储器密度。3D-NAND架构包含具有多个电荷存储结构(例如,浮动栅...
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