技术编号：9732266
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)以及边缘发射激光器的半导体发光器件处于目前可用的最高效的光源的一类中。目前在能够跨可见光谱工作的高亮度发光器件的制造中令人感兴趣的材料系统包括II1-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也称为III族氮化物材料。通常，通过金属有机化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延术(MBE)或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其他合适衬底上外延生长具...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。