技术编号：9740825
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展，微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的产品之一，并且随着技术的更新，这类产品的发展方向是具有更小的尺寸、更高质量的电学性能和更低的功耗。在制作MEMS中的锗帽层的过程中，需要实施特殊的光刻工艺，对通过沉积工艺形成在大约30微米深的硅衬底沟槽中的钛金属层执行图案化过程，以形成所需的钛金属层图形。由于通过旋转涂布工艺或者喷雾涂布工艺形成的光致抗蚀剂掩膜层不能完全覆盖如图1中示出的硅衬底沟槽1...
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